Авторизация


На главнуюКарта сайтаДобавить в избранноеОбратная связьФотоВидеоАрхив  
Испытание полупроводниковых устройств
Источник: Яндекс картинки
10:03 / 14.06.2014

Российские учёные разработали установку для получения полупроводников
У установки нет аналогов в мире. В ней совмещены сразу две возможности – имплантации материалов многозарядными ионами и исправления возникающих при этом дефектов, с помощью импульсного сильноточного электронного пучка. Оборудование предназначено для получения полупроводниковых и металлических материалов с качественно новыми свойствами
Специалисты Томского института сильноточной электроники СО РАН разработали уникальную установку, которая позволяет получать полупроводники и металлические материалы с качественно новыми свойствами для микроэлектроники. Установка создана для Польского ядерного центра.

У установки нет аналогов в мире. В ней совмещены сразу две возможности – имплантации материалов многозарядными ионами и исправления возникающих при этом дефектов, с помощью импульсного сильноточного электронного пучка. Оборудование предназначено для получения полупроводниковых и металлических материалов с качественно новыми свойствами, которые будут использоваться в области микроэлектроники и приборостроения.

Профессор Национального центра ядерных исследований Польши Збигнев Вернер отметил, что польская сторона уже имела успешный опыт сотрудничества с томскими коллегами.


Комментарии:

Для добавления комментария необходима авторизация.